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IRFDC20 PDF预览

IRFDC20

更新时间： 2024-02-14 16:00:46
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体小信号场效应晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 409K
描述
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A)

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IRFDC20 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：0.32 A
最大漏源导通电阻：4.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
功耗环境最大值：1.3 W认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFDC20 数据手册

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Index  
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PD -9.1228  
IRFDC20  
HEXFET® Power MOSFET  
Dynamic dv/dt Rating  
Repetitive Avalanche Rated  
For Automatic Insertion  
End Stackable  
Fast Switching  
Ease of paralleling  
VDSS = 600V  
RDS(on) = 4.4Ω  
ID = 0.32A  
Simple Drive Requirements  
Description  
Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer  
with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-  
resistance and cost-effectiveness.  
The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be  
stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain  
serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to  
1 watt.  
HD-1  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TC = 25°C  
ID @ TC = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10 V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10 V  
Pulsed Drain Current  
0.32  
A
0.20  
2.6  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
1.0  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.0083  
±20  
VGS  
EAS  
IAR  
Gate-to-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy  
Avalanche Current  
50  
mJ  
A
0.32  
EAR  
dv/dt  
TJ  
Repetitive Avalanche Energy  
Peak Diode Recovery dv/dt  
Operating Junction and  
0.10  
mJ  
V/ns  
3.0  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (1.6mm from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Ambient  
Min.  
—
Typ.  
—
Max. Units  
RθJA  
120  
°C/W  
To Order  
Revision 0  
 
 
12345678

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