IRFE024

更新时间： 2024-10-02 04:23:19

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数	文件大小	规格书
7页	229K
描述
REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET剖TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFE024 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	HERMETIC SEALED, LCC-18	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	110 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.7 A
最大漏极电流 (ID)：	6.7 A	最大漏源导通电阻：	0.17 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-CQCC-N18
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	18	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	14 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	27 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFE024 数据手册

PD - 93982

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

IRFE024

60V, N-CHANNEL

SURFACE MOUNT (LCC-18)

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE024

60V

0.15Ω

6.7A

LCC-18

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

6.7

4.2

0.11

±20

110

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

V/ns

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

5.5

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

1/16/01

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

IRFE024 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFE024	SEME-LAB	功能相似	N-CHANNEL POWER MOSFET

与IRFE024相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE034	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE034PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE110	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE110	MOTOROLA	获取价格	Multiple Small-Signal Transistors
IRFE110		获取价格	N-Channel Power MOSFET
IRFE110PBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRFE111	MOTOROLA	获取价格	Multiple Small-Signal Transistors
IRFE113	MOTOROLA	获取价格	Multiple Small-Signal Transistors
IRFE120	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE120_07	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)

与IRFE024相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

38
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

32
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

29
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

40

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFE024

IRFE024 技术参数

IRFE024 数据手册

IRFE024 替代型号

与IRFE024相关器件

与IRFE024相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFE024

IRFE024 技术参数

IRFE024 数据手册

IRFE024 替代型号

与IRFE024相关器件

与IRFE024相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？