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IRFE230SCV

更新时间： 2024-01-20 07:42:01

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, HERMETIC SEALED, LCC-18

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IRFE230SCV 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	LCC	包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15
针数：	18	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	98 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	0.46 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	22 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFE230SCV 数据手册

PD - 91715B

IRFE230

JANTX2N6798U

JANTXV2N6798U

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

SURFACE MOUNT (LCC-18)

[REF:MIL-PRF-19500/557]

200V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE230

200V

0.40Ω

5.5A

LCC-18

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

5.5

3.5

0.20

±20

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

V/ns

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

6.3

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

1/17/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE230SCVPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE230SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE230SCXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE310	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
IRFE310PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFE320	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE320PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 400V, 2.07ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE330	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED
IRFE330PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 400V, 1.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRFE330SCS	INFINEON	获取价格	暂无描述

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