5秒后页面跳转
IRFE034PBF PDF预览

IRFE034PBF

更新时间: 2024-10-02 20:43:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 34K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15.5A I(D), 60V, 0.05ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IRFE034PBF 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:CHIP CARRIER, R-CQCC-N18Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.7
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:60 V
最大漏极电流 (ID):15.5 A最大漏源导通电阻:0.05 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码:R-CQCC-N18
元件数量:1端子数量:18
工作模式:ENHANCEMENT MODE封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:YES
端子形式:NO LEAD端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IRFE034PBF 数据手册

  

与IRFE034PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFE110 INFINEON

获取价格

HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE110 MOTOROLA

获取价格

Multiple Small-Signal Transistors
IRFE110

获取价格

N-Channel Power MOSFET
IRFE110PBF INFINEON

获取价格

暂无描述
IRFE111 MOTOROLA

获取价格

Multiple Small-Signal Transistors
IRFE113 MOTOROLA

获取价格

Multiple Small-Signal Transistors
IRFE120 INFINEON

获取价格

HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE120_07 INFINEON

获取价格

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE130 INFINEON

获取价格

REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE130 SEME-LAB

获取价格

N-CHANNEL POWER MOSFET