IRFE210PBF

更新时间： 2024-11-01 13:00:35

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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IRFE210PBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	CHIP CARRIER, R-CQCC-N15	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
其他特性：	HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	20 mJ
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	200 V	最大漏极电流 (ID)：	2.25 A
最大漏源导通电阻：	1.725 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-CQCC-N15	元件数量：	1
端子数量：	15	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	9 A	表面贴装：	YES
端子形式：	NO LEAD	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFE210PBF 数据手册

PD - 91722B

IRFE210

JANTX2N6784U

JANTXV2N6784U

REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATED

HEXFET TRANSISTORS

SURFACE MOUNT (LCC-18)

[REF:MIL-PRF-19500/556]

200V, N-CHANNEL

Product Summary

Part Number

BVDSS

RDS(on)

IRFE210

200V

1.5Ω

2.25A

LCC-18

The leadless chip carrier (LCC) package represents the

logical next step in the continual evolution of surface

mount technology. Desinged to be a close replacement

for the TO-39 package, the LCC will give designers the

extra flexibility they need to increase circuit board den-

sity. International Rectifier has engineered the LCC pack-

age to meet the specific needs of the power market by

increasing the size of the bottom source pad, thereby

enhancing the thermal and electrical performance. The

lid of the package is grounded to the source to reduce

RF interference.

Features:

Surface Mount

Small Footprint

Alternative to TO-39 Package

Hermetically Sealed

Dynamic dv/dt Rating

Avalanche Energy Rating

Simple Drive Requirements

Light Weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Units

@ V

= 10V, T = 25°C

Continuous Drain Current

2.25

1.5

9.0

0.12

±20

= 10V, T = 100°C Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

@ T = 25°C

W/°C

V/ns

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy ➀

Avalanche Current ➀

Repetitive Avalanche Energy ➀

Peak Diode Recovery dv/dt ➀

Operating Junction

dv/dt

3.9

-55 to 150

Storage Temperature Range

^oC

STG

Pckg. Mounting Surface Temp.

Weight

300 (for 5 S)

0.42(typical)

For footnotes refer to the last page

www.irf.com

1/17/01

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFE220	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE220_07	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE230	INFINEON	获取价格	REPETITIVE AVALANCHE AND dv/dt RATED HEXFET TRANSISTORS SURFACE MOUNT (LCC-18)
IRFE230	SEME-LAB	获取价格	N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFE230SCV	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE230SCVPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE230SCX	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE230SCXPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5A I(D), 200V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IRFE310	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTOR
IRFE310PBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 1.2A I(D), 400V, 3.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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