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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.16 | 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.6 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.28 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT APPLICABLE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 13 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT APPLICABLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRFD9025 | INFINEON |
获取价格 |
Transistor, |
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| IRFD9110 | INTERSIL |
获取价格 |
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFD9110 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=1.2ohm, Id=-0.70A) |
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| IRFD9110 | FAIRCHILD |
获取价格 |
0.7A, 100V, 1.200 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFD9110 | HARRIS |
获取价格 |
-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRFD9110 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9110 | MOTOROLA |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.7A I(D), 100V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRFD9110PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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| IRFD9110PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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