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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Transferred |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.72 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.7 A | 最大漏极电流 (ID)： | 0.7 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.2 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9110PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = -100V , RDS(on) |
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| IRFD9110PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9112 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 600MA I(D) | TO-250VAR |
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| IRFD9113 | HARRIS |
获取价格 |
-0.6A and -0.7A, -80V and -100V, 1.2 and 1.6 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRFD9113 | INFINEON |
获取价格 |
1-WATT RATED POWER MOSFETs |
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| IRFD9120 | INTERSIL |
获取价格 |
1.0A, 100V, 0.6 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFD9120 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.60ohm, Id=-1.0A) |
|
| IRFD9120 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9120PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRFD9123 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 800MA I(D) | TO-250VAR |
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