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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.3 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9220 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-0.56A) |
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| IRFD9220 | INTERSIL |
获取价格 |
0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRFD9220 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFD9220PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9220PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRFD9223 | VISHAY |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRFDC10LC | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| IRFDC20 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
|
| IRFDC20 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFDC20PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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