是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数: | 4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 0.87 | 雪崩能效等级(Eas): | 210 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 200 V | 最大漏极电流 (ID): | 0.4 A |
最大漏源导通电阻: | 3 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度: | 150 °C | 最低工作温度: | -55 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 3.2 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | NO |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFD9213 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD9220 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-0.56A) |
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IRFD9220 | INTERSIL |
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0.6A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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IRFD9220 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFD9220PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFD9220PBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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IRFD9223 | VISHAY |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.45A I(D), 150V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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IRFDC10LC | INFINEON |
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Small Signal Field-Effect Transistor, 0.25A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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IRFDC20 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=4.4ohm, Id=0.32A) |
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IRFDC20 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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