IRFD9014PBF

更新时间： 2024-01-26 13:59:49

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲光电二极管
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8页	839K
描述
Power MOSFET

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IRFD9014PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	0.84
雪崩能效等级（Eas）：	140 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	1.1 A
最大漏极电流 (ID)：	1.1 A	最大漏源导通电阻：	0.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	1.3 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8.8 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IRFD9014PBF 数据手册

IRFD9014, SiHFD9014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

- 60

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= - 10 V

0.50

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.8

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• P-Channel

5.1

• 175 °C Operating Temperature

• Fast Switching

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertable case

style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain servers as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

P-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD9014PbF

SiHFD9014-E3

IRFD9014

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD9014

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

- 60

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

- 1.1

Continuous Drain Current

V_GSat - 10 V

I_D

T_C=100°C

- 0.80

- 8.8

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.0083

140

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

- 1.1

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.13

Maximum Power Dissipation

_C= 25 °C

P_D

1.3

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

- 4.5

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 175

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= - 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 33 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= - 2.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ - 6.7 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 175 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91136

S-Pending-Rev. A, 13-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IRFD9020	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9020PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD9022	INFINEON	获取价格	HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9024	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A)
IRFD9024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD9024PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRFD9025	INFINEON	获取价格	Transistor,
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