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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 350 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 0.4 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.4 A | 最大漏源导通电阻： | 2.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD420 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A) |
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| IRFD420 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFD420PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD620 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 600V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRFD9010 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9010 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP⢠|
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| IRFD9010PBF | VISHAY |
获取价格 |
TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 P |
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| IRFD9012 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
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| IRFD9014 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A) |
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| IRFD9014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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