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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> IRFD9010PBF
IRFD9010PBF PDF预览

IRFD9010PBF

更新时间： 2024-01-14 15:12:12
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体小信号场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 134K
描述
TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 PIN, FET General Purpose Small Signal

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IRFD9010PBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PDIP-T4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：0.82
Is Samacsys：N配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.1 A
最大漏极电流 (ID)：1.1 A最大漏源导通电阻：0.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDIP-T4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRFD9010PBF 数据手册

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IRFD9010, SiHFD9010  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
• For Automatic Insertion  
VDS (V)  
- 50  
• Compact, End Stackable  
• Fast Switching  
• Low Drive Current  
• Easy Paralleled  
• Excellent Temperature Stability  
• P-Channel Versatility  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.50  
Qg (Max.) (nC)  
11  
3.8  
4.1  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
Configuration  
Single  
DESCRIPTION  
The HVMDIP technology is the key to Vishay’s advanced  
line of power MOSFET transistors. The efficient geometry  
and unique processing of the HVMDIP design achieves  
very low on-state resistance combined with high  
transconductance and extreme device ruggedness.  
The p-channel HVMDIPs are designed for application which  
require the convenience of reverse polarity operation. They  
retain all of the features of the more common n-channel  
HVMDIPs such as voltage control, very fast switching, ease  
of paralleling, and excellent temperature stability.  
S
HVMDIP  
G
S
G
P-channels HVMDIPs are intended for use in power stages  
where complementary symmetry with n-channel devices  
offers circuit simplification. They are also very useful in drive  
stages because of the circuit versatility offered by the  
reverse polarity connection. Applications include motor  
control, audio amplifiers, switched mode converters, control  
circuits and pulse amplifiers.  
D
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
HVMDIP  
IRFD9010PbF  
SiHFD9010-E3  
IRFD9010  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHFD9010  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 50  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
T
C = 25 °C  
- 1.1  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
- 0.68  
- 8.8  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.01  
W/°C  
A
Inductive Current, Clamped  
L = 100 µH see fig. 14  
see fig. 15  
ILM  
IL  
- 8.8  
Inductive Current, Unclamped (Avalanche Current)  
Maximum Power Dissipation  
- 1.5  
TC = 25 °C  
PD  
1
W
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
- 55 to + 150  
300d  
°C  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 52 mH, Rg = 25 Ω, IAS = - 2.0 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 4.0 A, dI/dt ≤ 75 A/μs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91405  
S10-0998-Rev. A, 26-Apr-10  
www.vishay.com  
1
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRFD9012 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
IRFD9014 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A)
IRFD9014 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFD9014PBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFD9014PBF INFINEON

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 		HEXFET㈢ POWER MOSFET
IRFD9015 ETC

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 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP
IRFD9020 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFD9020 INFINEON

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 		HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP
IRFD9020PBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRFD9022 INFINEON

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 		HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP

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