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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| Factory Lead Time： | 6 weeks | 风险等级： | 0.84 |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 140 mJ | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.1 A | 最大漏源导通电阻： | 0.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 1.3 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 8.8 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | MATTE TIN |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9014PBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ POWER MOSFET |
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| IRFD9015 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
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| IRFD9020 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFD9020 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
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| IRFD9020PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9022 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET TRANSISTORS P CHANNEL HEXDIP |
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| IRFD9024 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.28ohm, Id=-1.6A) |
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| IRFD9024 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9024PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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