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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DIP |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PDIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.92 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 600 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 0.32 A | 最大漏源导通电阻： | 4.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDIP-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 235 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 1.3 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRFD9010 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRFD9010 | INFINEON |
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HEXFET® TRANSISTORS P-CHANNEL HEXDIP⢠|
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| IRFD9010PBF | VISHAY |
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TRANSISTOR 1100 mA, 50 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, HVMDIP, 4 P |
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| IRFD9012 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
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| IRFD9014 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-60V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-1.1A) |
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| IRFD9014 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9014PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRFD9014PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET㈢ POWER MOSFET |
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| IRFD9015 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 910MA I(D) | DIP |
|
| IRFD9020 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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