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IRFD320

更新时间： 2024-02-23 04:07:09

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	423K
描述
Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A)

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IRFD320 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

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PD -9.1226

IRFD320

HEXFET^®Power MOSFET

Dynamic dv/dt Rating

Repetitive Avalanche Rated

For Automatic Insertion

End Stackable

Fast Switching

Ease of paralleling

V_DSS= 400V

R_DS(on)= 1.8Ω

I_D= 0.49A

Simple Drive Requirements

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer

with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be

stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain

serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 watt.

HD-1

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10 V

Pulsed Drain Current

0.49

0.31

3.9

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

1.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.0083

±20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

0.49

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

0.10

V/ns

4.0

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Ambient

Min.

—

Typ.

—

Max. Units

R_θJA

120

°C/W

Revision 0

To Order

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFD320PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=1.8
IRFD320R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD321	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR
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