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IRFD320

更新时间： 2024-01-12 22:19:21
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 晶体晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 54K
描述
0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

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IRFD320 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.88Is Samacsys：N
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-609代码：e0
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches：1

IRFD320 数据手册

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IRFD320  
Data Sheet  
July 1999  
File Number 2325.4  
0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel  
Power MOSFET  
Features  
• 0.5A, 400V  
This N-Channel enhancement mode silicon gate power field  
effect transistor is an advanced power MOSFET designed,  
tested, and guaranteed to withstand a specified level of  
energy in the breakdown avalanche mode of operation. All of  
these power MOSFETs are designed for applications such  
as switching regulators, switching convertors, motor drivers,  
relay drivers, and drivers for high power bipolar switching  
transistors requiring high speed and low gate drive power.  
These types can be operated directly from integrated  
circuits.  
• r  
= 1.800Ω  
DS(ON)  
• Single Pulse Avalanche Energy Rated  
• SOA is Power Dissipation Limited  
• Nanosecond Switching Speeds  
• Linear Transfer Characteristics  
• High Input Impedance  
• Related Literature  
- TB334 “Guidelines for Soldering Surface Mount  
Components to PC Boards”  
Formerly developmental type TA17404.  
Ordering Information  
Symbol  
PART NUMBER  
PACKAGE  
BRAND  
IRFD320  
D
IRFD320  
HEXDIP  
NOTE: When ordering, use the entire part number.  
G
S
Packaging  
HEXDIP  
DRAIN  
GATE  
SOURCE  
CAUTION: These devices are sensitive to electrostatic discharge; follow proper ESD Handling Procedures.  
http://www.intersil.com or 407-727-9207 | Copyright © Intersil Corporation 1999  
4-299  
123456

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