IRFD320

更新时间： 2024-01-28 16:21:42

品牌	Logo	应用领域
威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
8页	1169K
描述
Power MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRFD320 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.88	Is Samacsys：	N
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.5 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-609代码：	e0
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	Base Number Matches：	1

IRFD320 数据手册

IRFD320, SiHFD320

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.8

RoHS

COMPLIANT

Q_g(Max.) (nC)

3.3

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

• Ease of Paralleling

Configuration

Single

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serveres as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD320PbF

SiHFD320-E3

IRFD320

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD320

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

0.49

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

0.31

Pulsed Drain Current^a

I_DM

3.9

Linear Derating Factor

0.0083

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

0.49

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.10

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 21 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 2.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.0 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91134

www.vishay.com

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

中文翻译

下载PDF

IRFD320 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRFD320	INTERSIL	功能相似	0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET

与IRFD320相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD320PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD320PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=400V , RDS(on)=1.8
IRFD320R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD321	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD321R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 500MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD322	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD322R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD323	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD323R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD420	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=3.0ohm, Id=0.37A)

与IRFD320相关文章

LTM4644/LTM4644-1：创新的四输出同步降压微模块调节器
2024-07-02

2
2N3500：一款多用途NPN硅晶体管的全面解析
2024-07-02

3
最详细资料解析：BA5917AFP参数说明、引脚说明
2024-07-02

5
MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFD320

IRFD320 技术参数

IRFD320 数据手册

IRFD320 替代型号

与IRFD320相关器件

与IRFD320相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRFD320

IRFD320 技术参数

IRFD320 数据手册

IRFD320 替代型号

与IRFD320相关器件

与IRFD320相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？