IRFD310

更新时间： 2024-09-26 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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描述
Power MOSFET

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IRFD310 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.15	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	400 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.4 A
最大漏极电流 (ID)：	0.35 A	最大漏源导通电阻：	3.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDIP-T3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	225
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRFD310 数据手册

IRFD310, SiHFD310

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

400

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• For Automatic Insertion

• End Stackable

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

3.6

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

3.4

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fast Switching

8.5

Configuration

Single

• Ease of Paralleling

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

HEXDIP

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable

case style which can be stacked in multiple combinations on

standard 0.1" pin centers. The dual drain serveres as a

thermal link to the mounting surface for power dissipation

levels up to 1 W.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

HEXDIP

IRFD310PbF

SiHFD310-E3

IRFD310

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHFD310

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

400

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

0.35

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

0.22

Pulsed Drain Current^a

I_DM

2.8

Linear Derating Factor

0.0083

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

0.35

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

0.10

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

1.0

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

4.0

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 41 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 1.4 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 2.0 A, dI/dt ≤ 40 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91133

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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IRFD310PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD310PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
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IRFD311	ROCHESTER	获取价格	400mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD311R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 400MA I(D) \| TO-250VAR
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IRFD312R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 400V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD313	ROCHESTER	获取价格	300mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD313R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 350V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD320	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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