是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
Reach Compliance Code: | not_compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8541.29.00.95 | 风险等级: | 5.76 |
Is Samacsys: | N | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 400 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID): | 0.4 A | 最大漏极电流 (ID): | 0.4 A |
最大漏源导通电阻: | 3.6 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T3 | JESD-609代码: | e0 |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 3 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs): | 1 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | FET General Purpose Power |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IRFD311 | ROCHESTER |
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400mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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IRFD311R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 400MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD312 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD312R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 400V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD313 | ROCHESTER |
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300mA, 350V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
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IRFD313R | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 350V V(BR)DSS | 300MA I(D) | TO-250VAR |
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IRFD320 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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IRFD320 | INTERSIL |
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0.5A, 400V, 1.800 Ohm, N-Channel Power MOSFET |
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IRFD320 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=1.8ohm, Id=0.49A) |
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IRFD320PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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