IRFD224

更新时间： 2024-01-14 11:49:33

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英飞凌 - INFINEON		/
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Power MOSFET(Vdss=250V, Rds(on)=1.1ohm, Id=0.63A)

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IRFD224 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	DIP
包装说明：	IN-LINE, R-PDIP-T3	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	60 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.63 A	最大漏极电流 (ID)：	0.63 A
最大漏源导通电阻：	1.1 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDIP-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	1 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	5 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFD224 数据手册

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PD -9.1272

IRFD224

HEXFET^®Power MOSFET

Dynamic dv/dt Rating

Repetitive Avalanche Rated

For Automatic Insertion

End Stackable

Fast Switching

Ease of paralleling

V_DSS= 250V

R_DS(on)= 1.1Ω

I_D= 0.63A

Simple Drive Requirements

Description

Third Generation HEXFETs from International Rectifier provide the designer

with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

The 4-pin DIP package is a low-cost machine-insertable case style which can be

stacked in multiple combinations on standard 0.1 inch pin centers. The dual drain

serves as a thermal link to the mounting surface for power dissipation levels up to

1 watt.

HD-1

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10 V

Pulsed Drain Current

0.63

0.40

5.0

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

1.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.0083

±20

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

Avalanche Current

0.63

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

0.10

V/ns

4.8

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Ambient

Min.

—

Typ.

—

Max. Units

R_θJA

120

°C/W

Revision 0

To Order

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRFD224PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD224PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = 250V , RDS(on) =
IRFD2Z0	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z1	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 320MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z2	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 200V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD2Z3	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 150V V(BR)DSS \| 300MA I(D) \| TO-250VAR
IRFD310	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFD310	ROCHESTER	获取价格	400mA, 400V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET
IRFD310	INTERSIL	获取价格	0.4A, 400V, 3.600 Ohm, N-Channel Power MOSFET
IRFD310	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=400V, Rds(on)=3.6ohm, Id=0.35A)

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