Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRFBC40ASPBF

IRFBC40ASPBF

更新时间： 2024-10-15 05:39:27

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
8页	343K
描述
Power MOSFET

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IRFBC40ASPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
Factory Lead Time：	6 weeks	风险等级：	5
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	570 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.2 A
最大漏极电流 (ID)：	6.2 A	最大漏源导通电阻：	1.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	25 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRFBC40ASPBF 数据手册

IRFBC40AS, SiHFBC40AS

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gresults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

600

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.2

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully

Characterized

Capacitance

and

Avalanche Voltage and Current

• Effective C_ossSpecified

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

D²PAK (TO-263)

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching

N-Channel MOSFET

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Single Transistor Forward

ORDERING INFORMATION

Package

D²PAK (TO-263)

IRFBC40ASPbF

IRFBC40ASTRLPbF^a

SiHFBC40ASTL-E3^a

IRFBC40ASTRL^a

SiHFBC40ASTL^a

IRFBC40ASTRRPbF^a

SiHFBC40ASTR-E3^a

IRFBC40ASTRR^a

SiHFBC40ASTR^a

Lead (Pb)-free

SiHFBC40AS-E3

IRFBC40AS

SnPb

SiHFBC40AS

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

600

V_GS

6.2

_C= 25 °C

Continuous Drain Current^e

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.9

Pulsed Drain Current^{a, e}

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

E_AS

I_AR

570

6.2

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AR

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

125

Peak Diode Recovery dV/dt^{c, e}

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

dV/dt

T_J, T_stg

6.0

V/ns

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 29.6 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 6.2 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 6.2 A, dI/dt ≤ 88 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. Uses IRFBC40A/SiHFBC40A data and test conditions.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91113

S-Pending-Rev. A, 23-Jun-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IRFBC40ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40ASTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40ASTRRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40L	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40L	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=600V, Rds(on)=1.2ohm, Id=6.2A)
IRFBC40LC	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRFBC40LC	INFINEON	获取价格	HEXFET-R POWER MOSFET
IRFBC40LC-002	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IRFBC40LC-002PBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.2A I(D), 600V, 1.2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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