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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9640STRL
IRF9640STRL PDF预览

IRF9640STRL

更新时间： 2024-09-30 12:48:31
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 197K
描述
Power MOSFET

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IRF9640STRL 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：TO-263, 3 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.04Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：700 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：11 A最大漏极电流 (ID)：11 A
最大漏源导通电阻：0.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：125 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：44 A
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRF9640STRL 数据手册

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IRF9640S, SiHF9640S, IRF9640L, SiHF9640L  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21  
- 200  
VGS = - 10 V  
Definition  
• Surface Mount  
RDS(on) ()  
0.50  
• Available in Tape and Reel  
• Dynamic dV/dt Rating  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
Qg (Max.) (nC)  
44  
7.1  
27  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC  
S
DESCRIPTION  
D2PAK (TO-263)  
I2PAK (TO-262)  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The D2PAK (TO-263) is a surface mount power package. It  
provides the highest power capability and the lowest  
possible on-resistance in any existing surface mount  
package. The D2PAK (TO-263) is suitable for high current  
applications because of its low internal connection  
resistance and can dissipate up to 2.0 W in a typical surface  
mount application. The through-hole version (IRF9640L,  
SiHF9640L) is available for low-profile applications.  
G
D
S
D
S
G
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
D2PAK (TO-263)  
D2PAK (TO-263)  
-
IRF9640STRLPbFa  
SiHF9640STL-E3a  
D2PAK (TO-263)  
-
IRF9640STRRPbFa  
SiHF9640STR-E3a  
I2PAK (TO-262)  
SiHF9640L-GE3  
IRF9640LPbF  
SiHF9640L-E3  
Lead (Pb)-free and Halogen-free  
SiHF9640S-GE3  
IRF9640SPbF  
SiHF9640S-E3  
Lead (Pb)-free  
Note  
a. See device orientation.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 °C, unless otherwise noted)  
PARAMETER  
SYMBOL  
VDS  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
- 11  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
T
- 6.8  
- 44  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
Linear Derating Factor (PCB Mount)e  
Single Pulse Avalanche Energyb  
Avalanche Currenta  
0.025  
700  
EAS  
IAR  
mJ  
A
- 11  
Repetiitive Avalanche Energya  
EAR  
13  
mJ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation (PCB Mount)e  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
TC = 25 °C  
125  
PD  
W
V/ns  
°C  
TA = 25 °C  
3.0  
dV/dt  
- 5.0  
- 55 to + 150  
300d  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
TJ, Tstg  
for 10 s  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 8.7 mH, Rg = 25 , IAS = - 11 A (see fig. 12).  
c. ISD - 11 A, dI/dt 150 A/μs, VDD VDS, TJ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91087  
S11-1052-Rev. D, 30-May-11  
www.vishay.com  
1
This document is subject to change without notice.  
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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