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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.43 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 84 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 100 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 23 A | 最大漏极电流 (ID)： | 23 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.117 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最低工作温度： | -55 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 110 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 92 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRF9540NSTRRPBF | INFINEON |
类似代替  |
Advanced Process Technology |
|
| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
类似代替 |
Advanced Process Technology |
|
| IRF9530NSPBF | INFINEON |
类似代替 |
Advanced Process Technology Surface Mount |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9540NSTRL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
|
| IRF9540NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRF9540NSTRR | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-263AB |
|
| IRF9540NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Advanced Process Technology |
|
| IRF9540PBF | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9540PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9540RF1S9540SM | ETC |
获取价格 |
19A 100V 0.200 Ohm P-Channel Power MOSFETs(100.75 k) |
|
| IRF9540S | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF9540S | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
| IRF9540S, SiHF9540S | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
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