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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.71 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 200 V | 最大漏极电流 (ID)： | 1.8 A |
| 最大漏源导通电阻： | 3 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | JESD-609代码： | e3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9601STRLPBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9601STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A) |
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| IRF9610 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9610-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-004PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-017PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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