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IRF9601SPBF

更新时间: 2024-11-18 20:05:23
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 288K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, SMD-220, D2PAK-3

IRF9601SPBF 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Active包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.71
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:200 V最大漏极电流 (ID):1.8 A
最大漏源导通电阻:3 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:2工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):7 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:10晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IRF9601SPBF 数据手册

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PD - 95694  
IRF9610SPbF  
Lead-Free  
9/1/04  
Document Number: 91081  
www.vishay.com  
1

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