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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 110 mJ | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 150 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 1.75 A | 最大漏源导通电阻： | 3 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 20 W |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 20 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 30 ns |
| 最大开启时间（吨）： | 40 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9612 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9613 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 150V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A) |
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| IRF9620 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9620 | INTERSIL |
获取价格 |
3.5A, 200V, 1.500 Ohm, P-Channel Power MOSFET |
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| IRF9620 | SAMSUNG |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-003 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-003PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-006 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-006PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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