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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.44 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 14 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9620-003PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-006 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9620-006PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9620-018PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9620F | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9620PBF | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
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| IRF9620PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF9620S | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=1.5ohm, Id=-3.5A) |
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