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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9620STRLPBF
IRF9620STRLPBF PDF预览

IRF9620STRLPBF

更新时间： 2024-11-18 12:58:03
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
7页 1926K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF9620STRLPBF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5.01外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：200 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A最大漏极电流 (ID)：2.5 A
最大漏源导通电阻：1.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：3 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9620STRLPBF 数据手册

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IRF9620, SiHF9620  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 200  
Available  
• P-Channel  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
1.5  
RoHS*  
• Fast Switching  
• Ease of Paralleling  
Qg (Max.) (nC)  
22  
12  
COMPLIANT  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
10  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
G
D
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9620PbF  
SiHF9620-E3  
IRF9620  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9620  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
C = 100 °C  
- 3.5  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
T
- 2.0  
- 14  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.32  
W/°C  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
40  
Peak Diode Recovery dV/dtb  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300c  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
10  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. ISD ≤ - 3.5 A, dI/dt ≤ 95 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
c. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91082  
S-81272-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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与IRF9620STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9620STRR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 200V, 1.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRF9621 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB
IRF9622 VISHAY

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 		Transistor
IRF9622 SAMSUNG

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 		Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal
IRF9623 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB
IRF9630 INTERSIL

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 		6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9630 INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A)
IRF9630 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9630 SAMSUNG

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 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9630 KERSEMI

获取价格

 		Power MOSFET

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