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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9631 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9632 | VISHAY |
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Transistor |
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| IRF9632 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9633 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9640 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9640 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9640 | INTERSIL |
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11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9640 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A) |
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| IRF9640 | NJSEMI |
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Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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| IRF9640-004PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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