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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9622 | VISHAY |
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Transistor |
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| IRF9622 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 200V, 2.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9623 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRF9630 | INTERSIL |
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6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9630 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) |
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| IRF9630 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9630 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9630 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRF9630-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9630-004PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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