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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SFM |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 200 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 2.4 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9623 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 1.5A I(D) | TO-220AB |
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| IRF9630 | INTERSIL |
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6.5A, 200V, 0.800 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
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| IRF9630 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=-6.5A) |
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| IRF9630 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9630 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9630 | KERSEMI |
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Power MOSFET |
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| IRF9630-004 | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9630-004PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9630-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
|
| IRF9630-009PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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