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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9630STRR
IRF9630STRR PDF预览

IRF9630STRR

更新时间： 2024-09-30 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
8页 547K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, TO-263, 3 PIN

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IRF9630STRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.04雪崩能效等级（Eas）：500 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.5 A
最大漏极电流 (ID)：6.5 A最大漏源导通电阻：0.8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：74 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9630STRR 数据手册

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IRF9630, SiHF9630  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 200  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
R
DS(on) (Max.) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.80  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
29  
5.4  
COMPLIANT  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
• Ease of Paralleling  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
15  
Configuration  
Single  
S
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
D
G
P-Channel MOSFET  
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9630PbF  
SiHF9630-E3  
IRF9630  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9630  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 200  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
T
C = 25 °C  
- 6.5  
- 4.0  
- 26  
Continuous Drain Current  
VGS at - 10 V  
ID  
TC = 100 °C  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
Linear Derating Factor  
0.59  
500  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
- 6.4  
7.4  
EAR  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
74  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.0  
- 55 to + 150  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 17 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 6.5 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 6.5 A, dI/dt ≤ 120 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91084  
S-81272-Rev. B, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
12345678

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IRF9630STRR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF9630STRLPBF VISHAY

完全替代

 TRANSISTOR 6.5 A, 200 V, 0.8 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, ROHS COMPLIANT,
IRF9630S VISHAY

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 6.5A I(D), 200V, 0.8ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
2SJ412 TOSHIBA

功能相似

 P CHANNEL MOS TYPE (HIGH SPEED, HIGH CURRENT SWITCHING, DC-DC CONVERTER, RELAY DRIVE AND M

与IRF9630STRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9631 SAMSUNG

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9632 VISHAY

获取价格

 		Transistor
IRF9632 SAMSUNG

获取价格

 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9633 SAMSUNG

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 		P-CHANNEL POWER MOSFETS
IRF9640 VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF9640 INTERSIL

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 		11A, 200V, 0.500 Ohm, P-Channel Power MOSFETs
IRF9640 INFINEON

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 		Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=0.50ohm, Id=-11A)
IRF9640 NJSEMI

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 		Trans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
IRF9640-004PBF VISHAY

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 		Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 200V, 0.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta

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