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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9610-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-017PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610-018PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610F | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF9610FPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF9610FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF9610FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semi |
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| IRF9610PBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9610PBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS=-200V , RDS(on)=3. |
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| IRF9610S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A) |
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