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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9610S | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A) |
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| IRF9610S, SiHF9610S | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF9610SPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610STRL | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRF9610STRLPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610STRR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610STRRPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9611 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.75A I(D), 150V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9612 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 200V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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| IRF9613 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 150V, 4.5ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met |
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