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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF9540STRLPBF
IRF9540STRLPBF PDF预览

IRF9540STRLPBF

更新时间： 2024-11-20 13:08:47
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1687K
描述
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, PLASTIC, SMD-220, D2PAK-3

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IRF9540STRLPBF 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：6 weeks
风险等级：5Is Samacsys：N
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：640 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：100 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：72 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9540STRLPBF 数据手册

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IRF9540, SiHF9540  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.20  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
61  
14  
COMPLIANT  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
29  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
S
TO-220  
DESCRIPTION  
G
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
S
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
D
D
P-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9540PbF  
SiHF9540-E3  
IRF9540  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9540  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 100  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
- 19  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
- 13  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
- 72  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
640  
- 19  
EAR  
15  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
150  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 19 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 19 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91078  
S-Pending-Rev. A, 20-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRF9540STRLPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9540STRR VISHAY

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IRF9540STRRPBF VISHAY

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