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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9542 | HARRIS |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9542 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9543 | SAMSUNG |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9543 | HARRIS |
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P-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF9543-009PBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9543-012 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 80V, 0.3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9601SPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9601STRLPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9601STRRPBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 200V, 3ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| IRF9610 | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-200V, Rds(on)=3.0ohm, Id=-1.8A) |
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