IRF9540NPBF

更新时间： 2024-10-30 04:23:19

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IRF9540NPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	15 weeks
风险等级：	0.76	Samacsys Confidence：	4
Samacsys Status：	Released	Samacsys PartID：	708813
Samacsys Pin Count：	3	Samacsys Part Category：	MOSFET (P-Channel)
Samacsys Package Category：	Transistor Outline, Vertical	Samacsys Footprint Name：	TO-220AB PACKAGE
Samacsys Released Date：	2017-11-01 14:14:13	Is Samacsys：	N
其他特性：	AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY	雪崩能效等级（Eas）：	430 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	100 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	19 A
最大漏极电流 (ID)：	23 A	最大漏源导通电阻：	0.117 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	250
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	140 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	76 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PD - 94790A

IRF9540NPbF

• Lead-Free

www.irf.com

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
AUIRF9540N	INFINEON	类似代替	汽车 Q101-100V 单个 P 通道 HEXFET Power MOSFET, 采用
IRFP9150	INTERSIL	功能相似	25A, 100V, 0.150 Ohm, P-Channel Power MOSFET
SFP9540	FAIRCHILD	功能相似	Advanced Power MOSFET

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF9540NS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NS/L	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF9540NSPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) =
IRF9540NSTRL	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NSTRLPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF9540NSTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 23A I(D) \| TO-263AB
IRF9540NSTRRPBF	INFINEON	获取价格	Advanced Process Technology
IRF9540PBF	KERSEMI	获取价格	Power MOSFET
IRF9540PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF9540RF1S9540SM	ETC	获取价格	19A 100V 0.200 Ohm P-Channel Power MOSFETs(100.75 k)