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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9540 (KRF9540) | KEXIN |
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P-Channel MOSFET |
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| IRF9540-009 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9540-011PBF | VISHAY |
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Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
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| IRF9540FPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9540FXPBF | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se |
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| IRF9540N | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
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| IRF9540N | FREESCALE |
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HEXFET® Power MOSFET |
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| IRF9540NL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
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| IRF9540NLPBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) = |
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| IRF9540NPBF | KERSEMI |
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Advanced Process Technology |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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