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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SFM | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.24 |
| Is Samacsys： | N | 雪崩能效等级（Eas）： | 550 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 60 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A | 最大漏极电流 (ID)： | 10 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.4 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 75 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 最大关闭时间（toff）： | 280 ns | 最大开启时间（吨）： | 200 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF9533-006PBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 80V, 0.4ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| IRF9540 | SAMSUNG |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9540 | VISHAY |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9540 | INTERSIL |
获取价格 |
19A, 100V, 0.200 Ohm, P-Channel Power MOSFETs |
|
| IRF9540 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A) |
|
| IRF9540 | HARRIS |
获取价格 |
P-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF9540 | KERSEMI |
获取价格 |
Power MOSFET |
|
| IRF9540 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
|
| IRF9540 (KRF9540) | KEXIN |
获取价格 |
P-Channel MOSFET |
|
| IRF9540-009 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta |
|
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