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IRF9540

更新时间： 2024-11-24 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY /
页数 文件大小 规格书
8页 1687K
描述
Power MOSFET

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IRF9540 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：7.18外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE最小漏源击穿电压：100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A最大漏极电流 (ID)：19 A
最大漏源导通电阻：0.2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF9540 数据手册

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IRF9540, SiHF9540  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
- 100  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• P-Channel  
RDS(on) (Ω)  
VGS = - 10 V  
0.20  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
61  
14  
COMPLIANT  
• 175 °C Operating Temperature  
• Fast Switching  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
29  
• Ease of Paralleling  
Configuration  
Single  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
S
TO-220  
DESCRIPTION  
G
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
S
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
D
D
P-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF9540PbF  
SiHF9540-E3  
IRF9540  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF9540  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
- 100  
20  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
TC = 25 °C  
- 19  
Continuous Drain Current  
V
GS at - 10 V  
ID  
A
TC = 100 °C  
- 13  
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
- 72  
Linear Derating Factor  
1.0  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
640  
- 19  
EAR  
15  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
TC = 25 °C  
PD  
150  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
- 5.5  
- 55 to + 175  
300d  
10  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
°C  
for 10 s  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
6-32 or M3 screw  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = - 25 V, starting TJ = 25 °C, L = 2.7 mH, RG = 25 Ω, IAS = - 19 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ - 19 A, dI/dt ≤ 200 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 175 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91078  
S-Pending-Rev. A, 20-Jun-08  
www.vishay.com  
1
WORK-IN-PROGRESS  
12345678

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与IRF9540相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF9540 (KRF9540) KEXIN

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 		P-Channel MOSFET
IRF9540-009 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9540-011PBF VISHAY

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRF9540FPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF9540FXPBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Se
IRF9540N INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540N FREESCALE

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 		HEXFET® Power MOSFET
IRF9540NL INFINEON

获取价格

 		Power MOSFET(Vdss=-100V, Rds(on)=0.117ohm, Id=-23A)
IRF9540NLPBF INFINEON

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 		HEXFET POWER MOSFET (VDSS = -100V , RDS(on) =
IRF9540NPBF KERSEMI

获取价格

 		Advanced Process Technology

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