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IRF840S

更新时间： 2024-11-20 04:23:19
品牌 Logo 应用领域
TRSYS 晶体晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
1页 146K
描述
Power MOSFET

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IRF840S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：,
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.59
Base Number Matches：1

IRF840S 数据手册

  
IRF840S  
Power MOSFET  
VDSS = 500V, RDS(on) = 0.85 ohm, ID = 8.0 A  
D
G
S
N Channel  
Symbol  
ELECTRICAL CHARACTERISICS at  
C Maximum. Unless stated Otherwise  
Tj = 25  
Value  
Parameter  
Unit  
Volt  
Test Conditions  
Symbol  
V(BR)DSS  
Typ  
-
Max  
Min  
500  
-
-
Drain to Source Breakdown Voltage  
Drain to Source Leakage Current  
V
GS = 0 VDC, ID = 250µA  
VDS = 500VDC, VGS = 0VDC  
DS = 400VDC, VGS = 0VDC  
-
25  
IDSS  
250  
µA  
V
-
-
Tj=125  
C
VGS = +20VDC  
VGS = -20VDC  
-
-
-
-
nA  
nA  
100  
-100  
IGSS  
Gate to Source Leakage Current  
Gate Threshold Voltage  
-
VGS(th)  
ID = 250µA  
V
DS = VGS  
,
2.0  
4.0  
Volt  
RDS(on) VGS= 10VDC, ID = 4.8A  
-
-
-
0.85  
Static Drain to Source On - Resistance  
QG  
Gate Charge  
Gate to Source Charge  
Gate to Drain Charge  
-
-
-
nC  
nC  
nC  
63  
9.3  
3.2  
ID = 8.0A  
QGS  
VDS = 400VDC  
,
-
VGS = 10VDC  
-
QGD  
CISS  
pF  
pF  
pF  
Input Capacitance  
Output Capacitance  
Transfer Capacitance  
-
-
1300  
COSS  
CRSS  
VDS = 25VDC, VGS= 0VDC, f = 1.0MHZ  
-
-
310  
120  
-
-
td  
(on)  
Turn On Delay Time  
Turn Off Delay Time  
Rise Time  
nS  
nS  
-
-
14  
49  
23  
20  
td  
tr  
tf  
(off)  
-
-
-
-
-
-
V
DD = 250VDC, ID = 8.0A, RG = 9.1  
R
D = 31  
nS  
nS  
Fall Time  
Continuous Source Current  
Pulsed Source Current  
Forward Voltage (Diode)  
IS  
A
-
-
-
8.0  
32  
2.0  
-
-
-
ISM  
VSD  
A
V
VGS = 0VDC, IS =8.0A,  
Tp = 300µS  
(Tj = 25 C unless stated otherwise)  
MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Condition  
Symbol  
VGS  
Value  
Unit  
Volt  
Volt  
Amp  
Gate to Source Voltage  
+/- 20V  
500  
Drain to Source  
Voltage  
Continuous Drain Current  
VDSS  
ID  
8.0  
IDM  
PD  
32  
Amp  
W
Pulsed Drain Current  
Total Power Dissapation  
125  
(TA = 25 C)  
Thermal Resistance  
(Junction to Ambient)  
RTH  
C/W  
(J-A)  
62  
Maximum Operating Temperature Range (Tj) -55 to +150  
Maximum Storage Temperature Range (Tstg) -55 to +150  
C
C
Mechanical Dimensions  
f
DIMENSIONS  
a
4
Case SMB 220 Plastic  
Millimetres  
Inches  
Min Max  
0.380 0.420  
0.575 0.625  
0.065  
0.335 0.380  
0.050 0.070  
0.180 0.190  
0.045 0.055  
0.045 0.055  
0.070 0.110  
0.015 0.029  
0.10 Pitch  
g
Dim  
a
b
c
d
e
f
g
Min  
Max  
10.67  
15.88  
1.65  
9.65  
1.78  
4.83  
1.40  
1.400  
2.79  
0.77  
c
9.85  
14.61  
1 - Gate  
8.51  
1.27  
4.08  
1.14  
1.15  
1.78  
0.38  
2 & 4 - Drain  
3 - Source  
d
e
b
1
2
3
h
j
k
m
n
p
m
n
p
j
2.54 Pitch  
k
0.51  
0.51  
0.99  
0.89  
0.020 0.038  
0.020 0.35  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF840S (KRF840S) KEXIN

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IRF840S, SiHF840S VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF840SPBF VISHAY

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 		Power MOSFET
IRF840SPBF INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
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 		Power MOSFET
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 		Power MOSFET
IRF840STRLPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840STRR INFINEON

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