IRF840PBF

更新时间： 2024-01-07 18:18:17

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威世 - VISHAY		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
Power MOSFET

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IRF840PBF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	125 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF840PBF 数据手册

IRF840, SiHF840

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

• Repetitive Avalanche Rated

• Fast Switching

_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

0.85

RoHS*

Q_g(Max.) (nC)

9.3

COMPLIANT

• Ease of Paralleling

_gs(nC)

_gd(nC)

• Simple Drive Requirements

• Lead (Pb)-free Available

Configuration

Single

DESCRIPTION

TO-220

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The TO-220 package is universally preferred for all

commercial-industrial applications at power dissipation

levels to approximately 50 W. The low thermal resistance

and low package cost of the TO-220 contribute to its wide

acceptance throughout the industry.

N-Channel MOSFET

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF840PbF

SiHF840-E3

IRF840

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF840

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

500

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

8.0

Continuous Drain Current

_GSat 10 V

I_D

5.1

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

510

8.0

E_AR

Maximum Power Dissipation

Peak Diode Recovery dV/dt^c

_C= 25 °C

P_D

125

3.5

dV/dt

T_J, T_stg

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

6-32 or M3 screw

lbf · in

N · m

Mounting Torque

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 50 V, starting T_J= 25 °C, L = 14 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 8.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 8.0 A, dI/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91070

S-81290-Rev. B, 16-Jun-08

www.vishay.com

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IRF840PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTE2398	NTE	功能相似	MOSFET N-Ch, Enhancement Mode High Speed Switch

与IRF840PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB
IRF840S	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)
IRF840S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840S	TRSYS	获取价格	Power MOSFET
IRF840S	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
IRF840S	MOTOROLA	获取价格	8A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
IRF840S, SiHF840S	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840SPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840SPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRF840STR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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