IRF840LCS

更新时间： 2024-02-09 22:03:49

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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)=0.85ohm, Id=8.0A)

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IRF840LCS 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.57
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	8 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	功耗环境最大值：	125 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON

IRF840LCS 数据手册

PD-93766

IRF840LCS

IRF840LCL

HEXFET^®Power MOSFET

l Ultra Low Gate Charge

l Reduced Gate Drive Requirement

l Enhanced 30V V_GSRating

l Reduced C_ISS, C_OSS, C_RSS

l Extremely High Frequency Operation

l Repetitive Avalanche Rated

V_DSS= 500V

R_DS(on)= 0.85Ω

I_D= 8.0A

Description

ThisnewseriesoflowchargeHEXFET^®powerMOSFETs

achieve significant lower gate charge over conventional

MOSFETs. Utilizing the new LCDMOS (low charge

deviceMOSFETs) technology,thedeviceimprovements

are achieved without added product cost, allowing for

reducegatedriverequirementsandtotalsystemsavings.

In addition, reduced switching losses and improved

efficiency and achievable in a variety of high frequency

applications. Frequencies of a few MHz at high current

are possible using the new low charge MOSFETs.

These device improvements combined with the proven

ruggedness and reliability that characterize of HEXFET

power MOSFETs offer the designer a new power

transistor standard for switching applications.

D²Pak

IRF840LCS

TO-262

IRF840LCL

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10Vꢀ

Pulsed Drain Current ꢀ

Power Dissipation

8.0

5.1

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

3.1

Power Dissipation

125

Linear Derating Factor

1.0

W/°C

V_GS

E_AS

I_AR

Gate-to-Source Voltage

± 30

510

Single Pulse Avalanche Energy‚ꢀ

Avalanche Current

8.0

E_AR

dv/dt

T_J

Repetitive Avalanche Energy

Peak Diode Recovery dv/dt ꢀ

Operating Junction and

V/ns

3.5

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

1.0

Units

R_θJC

°C/W

R_θJA

Junction-to-Ambient (PCB Mounted,steady-state)**

–––

www.irf.com

1/3/2000

12 3 4 5 6 7...10

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与IRF840LCS相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF840LCS, IRF840LCL, SiHF840LCS, SiHF840LCL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCSPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCSTRL	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840LCSTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840LCSTRR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840LCSTRRPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRF840N	MOTOROLA	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF840PBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF840PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET POWER MOSFET
IRF840R	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 8A I(D) \| TO-220AB

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