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IRF840N

更新时间: 2024-12-01 05:20:39
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摩托罗拉 - MOTOROLA /
页数 文件大小 规格书
2页 66K
描述
Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IRF840N 数据手册

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