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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF830AL | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) |
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| IRF830AL | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF830ALPBF | INFINEON |
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HEXFET㈢ Power MOSFET |
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| IRF830ALPBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF830APBF | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRF830APBF | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF830APBF | KERSEMI |
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Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement |
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| IRF830AS | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRF830AS | INFINEON |
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Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A) |
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| IRF830AS | NJSEMI |
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Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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