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IRF830APBF

更新时间： 2024-01-25 09:47:40

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科盛美 - KERSEMI		晶体栅极晶体管开关脉冲驱动局域网
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7页	3490K
描述
Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

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IRF830APBF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.04	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF830APBF 数据手册

IRF830A, SiHF830A

Power MOSFET

www.kersemi.com

FEATURES

• Low Gate Charge Q_gResults in Simple Drive

Requirement

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

500

Available

R_DS(on)(Ω)

V_GS= 10 V

1.4

RoHS*

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

Q_g(Max.) (nC)

6.3

COMPLIANT

_gs(nC)

_gd(nC)

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

Configuration

Single

• Effective C_ossSpecified

• Lead (Pb)-free Available

TO-220

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply (SMPS)

• Uninterruptable Power Supply

• High Speed power Switching

TYPICAL SMPS TOPOLOGIES

• Two Transistor Forward

• Half Bridge

N-Channel MOSFET

• Full Bridge

ORDERING INFORMATION

Package

TO-220

IRF830APbF

SiHF830A-E3

IRF830A

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHF830A

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

500

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

_C= 25 °C

5.0

Continuous Drain Current

V_GSat 10 V

I_D

T_C=100°C

3.2

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.59

230

W/°C

Single Pulse Avalanche Energy^b

Repetitive Avalanche Current^a

Repetitive Avalanche Energy^a

E_AS

I_AR

5.0

E_AR

7.4

Maximum Power Dissipation

T_C= 25 °C

P_D

Peak Diode Recovery dV/dt^c

dV/dt

T_J, T_stg

5.3

V/ns

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

- 55 to + 150

300^d

°C

for 10 s

lbf · in

N · m

Mounting Torque

6-32 or M3 screw

1.1

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. Starting T_J= 25 °C, L = 18 mH, R_G= 25 Ω, I_AS= 5.0 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 5.0 A, dI/dt ≤ 370 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRF830AS	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830AS	INFINEON	获取价格	Power MOSFET(Vdss=500V, Rds(on)max=1.40ohm, Id=5.0A)
IRF830AS	NJSEMI	获取价格	Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
IRF830AS, IRF830AL, SiHF830AS, SiHF830AL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASPBF	INFINEON	获取价格	HEXFET㈢ Power MOSFET
IRF830ASTRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASTRLPBF	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 500V, 1.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
IRF830ASTRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRF830ASTRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 5A I(D) \| TO-263AB

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