IRF830ALPBF

更新时间： 2024-02-27 10:42:24

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HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF830ALPBF 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.04	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE	最小漏源击穿电压：	500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A	最大漏极电流 (ID)：	4.5 A
最大漏源导通电阻：	1.5 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	74 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF830ALPBF 数据手册

PD-95139

SMPS MOSFET

IRF830AS/LPbF

HEXFET^®Power MOSFET

Applications

V_DSS

500V

R_DS(on)max

I_D

5.0A

l Switch Mode Power Supply (SMPS)

l Uninterruptable Power Supply

l High Speed Power Switching

l Lead-Free

1.40Ω

Benefits

l Low Gate Charge Qg Results in Simple

Drive Requirement

l Improved Gate, Avalanche and Dynamic

dv/dt Ruggedness

l Fully Characterized Capacitance and

Avalanche Voltage and Current

l Effective Coss specified (See AN 1001)

D²Pak

TO-262

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

5.0

3.2

3.1

Units

I_D@ T_C= 25°C

I_D@ T_C= 100°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

Power Dissipation

P_D@T_A= 25°C

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.59

W/°C

V_GS

dv/dt

T_J

Gate-to-Source Voltage

± 30

Peak Diode Recovery dv/dt

Operating Junction and

5.3

V/ns

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (1.6mm from case )

Typical SMPS Topologies:

l Two Transistor Forward

l Half Bridge and Full Bridge

Notes through ꢀare on page 10

www.irf.com

04/21/04

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