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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.66 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 400 V | 最大漏极电流 (ID)： | 4.5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 75 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF7301PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7301TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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| IRF7301TRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7303 | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.050ohm) |
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| IRF7303PBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET (VDSS = 30V , RDS(on) = 0 |
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| IRF7303Q | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| IRF7303QPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
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| IRF7303QPBF_10 | INFINEON |
获取价格 |
HEXFETPOWERMOSET |
|
| IRF7303TR | INFINEON |
获取价格 |
Generation V Technology |
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| IRF7303TR | UMW |
获取价格 |
种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:30V;持续漏极电流（Id）（在25° |
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