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IRF730

更新时间： 2024-09-15 05:39:27
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 晶体晶体管功率场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
Power MOSFET

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IRF730 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：TO-220AB, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.04
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：290 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：400 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：5.5 A
最大漏极电流 (ID)：5.5 A最大漏源导通电阻：1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：75 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：22 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Powers表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF730 数据手册

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IRF730, SiHF730  
Vishay Siliconix  
Power MOSFET  
FEATURES  
• Dynamic dV/dt Rating  
PRODUCT SUMMARY  
VDS (V)  
400  
Available  
• Repetitive Avalanche Rated  
• Fast Switching  
R
DS(on) (Ω)  
VGS = 10 V  
1.0  
RoHS*  
Qg (Max.) (nC)  
38  
5.7  
COMPLIANT  
• Ease of Paralleling  
Q
Q
gs (nC)  
gd (nC)  
22  
• Simple Drive Requirements  
• Lead (Pb)-free Available  
Configuration  
Single  
D
DESCRIPTION  
TO-220  
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the  
designer with the best combination of fast switching,  
ruggedized device design, low on-resistance and  
cost-effectiveness.  
G
The TO-220 package is universally preferred for all  
commercial-industrial applications at power dissipation  
levels to approximately 50 W. The low thermal resistance  
and low package cost of the TO-220 contribute to its wide  
acceptance throughout the industry.  
S
D
S
N-Channel MOSFET  
G
ORDERING INFORMATION  
Package  
TO-220  
IRF730PbF  
SiHF730-E3  
IRF730  
Lead (Pb)-free  
SnPb  
SiHF730  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted  
PARAMETER  
SYMBOL  
LIMIT  
400  
UNIT  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
VDS  
V
VGS  
20  
TC = 25 °C  
TC =100°C  
5.5  
Continuous Drain Current  
V
GS at 10 V  
ID  
3.5  
A
Pulsed Drain Currenta  
IDM  
22  
Linear Derating Factor  
0.59  
290  
W/°C  
mJ  
A
Single Pulse Avalanche Energyb  
Repetitive Avalanche Currenta  
Repetitive Avalanche Energya  
EAS  
IAR  
5.5  
EAR  
7.4  
mJ  
W
Maximum Power Dissipation  
T
C = 25 °C  
PD  
74  
Peak Diode Recovery dV/dtc  
dV/dt  
TJ, Tstg  
4.0  
V/ns  
Operating Junction and Storage Temperature Range  
Soldering Recommendations (Peak Temperature)  
- 55 to + 150  
300d  
10  
°C  
for 10 s  
6-32 or M3 screw  
lbf · in  
N · m  
Mounting Torque  
1.1  
Notes  
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).  
b. VDD = 50 V, starting TJ = 25 °C, L = 16 mH, RG = 25 Ω, IAS = 5.5 A (see fig. 12).  
c. ISD ≤ 5.5 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C.  
d. 1.6 mm from case.  
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply  
Document Number: 91047  
S-81291-Rev. A, 16-Jun-08  
www.vishay.com  
1
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IRF730 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF730PBF VISHAY

类似代替

 Power MOSFET
BUZ205 INFINEON

功能相似

 SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode FREDFET)

与IRF730相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF730_R4943 FAIRCHILD

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IRF730-007 VISHAY

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IRF730-007PBF VISHAY

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IRF73016 MOTOROLA

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IRF7301TR UMW

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 		种类:N+N-Channel;漏源电压（Vdss）:20V;持续漏极电流（Id）（在25°
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 		Power Field-Effect Transistor, 4.3A I(D), 20V, 0.05ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Met
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