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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IRF7101PBF
IRF7101PBF PDF预览

IRF7101PBF

更新时间： 2024-11-18 03:35:47
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 276K
描述
HEXFET㈢ Power MOSFET

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IRF7101PBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SO-8Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
Is Samacsys：N配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.5 A
最大漏极电流 (ID)：3.5 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：8工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：2 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：14 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRF7101PBF 数据手册

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PD - 95162  
IRF7101PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Adavanced Process Technology  
l Ultra Low On-Resistance  
l Dual N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
1
2
8
S1  
G1  
D1  
VDSS = 20V  
7
D1  
l Available in Tape & Reel  
l Dynamic dv/dt Rating  
l Fast Switching  
3
4
6
S2  
G2  
D2  
RDS(on) = 0.10Ω  
5
D2  
l Lead-Free  
ID = 3.5A  
Top View  
Description  
Fourth Generation HEXFETs from International  
Rectifier utilize advanced processing techniques to  
achieve the lowest possible on-resistance per silicon  
area. This benefit, combined with the fast switching  
speed and ruggedized device design that HEXFET  
Power MOSFETs are well known for, provides the  
designer with an extremely efficient device for use in  
a wide variety of applications.  
The SO-8 has been modified through a customized  
leadframe for enhanced thermal characteristics and  
dual-die capability making it ideal in a variety of power  
applications. With these improvements, multiple  
devicescanbeusedinanapplicationwithdramatically  
reduced board space. The package is designed for  
vapor phase, infra red, or wave soldering techniques.  
Power dissipation of greater than 0.8W is possible in  
a typical PCB mount application.  
SO-8  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
3.5  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 100°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current   
A
2.3  
14  
PD @TC = 25°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
W/°C  
V
Linear Derating Factor  
0.016  
± 12  
3.0  
VGS  
Gate-to-SourceVoltage  
dv/dt  
Peak Diode Recovery dv/dt‚  
JunctionandStorage Temperature Range  
Sodering Temperature, for 10 seconds  
V/nS  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
°C  
300(1.6mm from case)  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
62.5  
°C/W  
10/6/04  
1234567...9

中文翻译

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IRF7101PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRF7101TRPBF INFINEON

完全替代

 Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7416 INFINEON

类似代替

 Power MOSFET(Vdss=-30V, Rds(on)=0.02ohm)
FDS9926A FAIRCHILD

功能相似

 Dual N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET

与IRF7101PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRF7101TRPBF INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 3.5A I(D), 20V, 0.1ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRF7102 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | MOSFET | MATCHED PAIR | N-CHANNEL | 50V V(BR)DSS | 2A I(D) | SO
IRF7102PBF INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRF7102TR INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 50V, 0.3ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-
IRF7103 INFINEON

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 		暂无描述
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