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IRF7104TR

更新时间： 2024-05-23 22:23:39

品牌	Logo	应用领域
友台半导体 - UMW		/
页数	文件大小	规格书
7页	573K
描述
种类:P+P-Channel;漏源电压（Vdss）:-30V;持续漏极电流（Id）（在25°C时）:-2.3A;Vgs(th)(V):±12;漏源导通电阻:250mΩ@-10V

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IRF7104TR 数据手册

IRF7104TR

-30V Dual P-Channel MOSFET

UMW

Benefits

•

VDS (V) = -30V

•

ID = -2.3A

250m

RDS(ON) ＜

Ω(V

=-10V)

400m

Ω(V

RDS(ON) ＜

•

=-4.5V)

Top View

Ultra Low On-resistance

•

Fast Switching

Lead-free

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-2.3

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current

-1.8

-10

P_D@T_C= 25°C

Power Dissipation

2.0

W/°C

Linear Derating Factor

0.016

± 12

V_GS

Gate-to-Source Voltage

dv/dt

T_J,T_STG

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

-3.0

V/nS

-55 to + 150

°C

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

62.5

°C/W

www.umw-ic.com

UTD Semiconductor Co.,Limited

12 3 4 5 6 7

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